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BSM120D12P2C005

BSM120D12P2C005

BSM120D12P2C005

MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE

compliant

BSM120D12P2C005 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $348.16000 $348.16
10 $343.25200 $3432.52
12 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Half Bridge)
fonctionnalité FET Silicon Carbide (SiC)
Tension drain-source (vdss) 1200V (1.2kV)
courant - consommation continue (id) à 25°c 120A (Tc)
rds activé (max) à id, vgs -
vgs(th) (max) à id 2.7V @ 22mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 14000pF @ 10V
puissance - max 780W
température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
type de montage -
paquet / étui Module
package d'appareils du fournisseur Module
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Numéro de pièce associé

PJQ2800_R1_00001
IPG20N06S4L14AATMA1
DMC3730UFL3-7
SI6913DQ-T1-BE3
DMN1033UCB4-7
FDMS7700S
FDMS7700S
$0 $/morceau
GE12047BCA3
GE12047BCA3
$0 $/morceau
AOD603A
IXFN130N90SK
IXFN130N90SK
$0 $/morceau

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