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| Nom | Valeur |
|---|---|
| statut du produit | Not For New Designs |
| type de transistor | PNP - Pre-Biased + Diode |
| courant - collecteur (ic) (max) | 500 mA |
| tension - claquage collecteur-émetteur (max) | 50 V |
| résistance - base (r1) | 4.7 kOhms |
| résistance - base émettrice (r2) | 4.7 kOhms |
| gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce | 47 @ 50mA, 5V |
| saturation vce (max) à ib, ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| courant - coupure du collecteur (max) | 500nA |
| fréquence - transition | 200 MHz |
| puissance - max | 200 mW |
| type de montage | Surface Mount |
| paquet / étui | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| package d'appareils du fournisseur | SMT3 |
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