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EMB11T2R

EMB11T2R

EMB11T2R

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

EMB11T2R Fiche de données

non conforme

EMB11T2R Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
8,000 $0.09690 -
73 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de transistor 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
courant - collecteur (ic) (max) 100mA
tension - claquage collecteur-émetteur (max) 50V
résistance - base (r1) 10kOhms
résistance - base émettrice (r2) 10kOhms
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce 20 @ 5mA, 5V
saturation vce (max) à ib, ic 300mV @ 500µA, 10mA
courant - coupure du collecteur (max) 500nA
fréquence - transition 250MHz
puissance - max 150mW
type de montage Surface Mount
paquet / étui SOT-563, SOT-666
package d'appareils du fournisseur EMT6
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Numéro de pièce associé

BCR10PNH6327XTSA1
NHUMD9F
NHUMD9F
$0 $/morceau
MUN5336DW1T1G
MUN5336DW1T1G
$0 $/morceau
FMA4AT148
FMA4AT148
$0 $/morceau
DDA143TH-7
DDA143TH-7
$0 $/morceau
NSVMUN5314DW1T3G
NSVMUN5314DW1T3G
$0 $/morceau
EMH2T2R
EMH2T2R
$0 $/morceau

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