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EMB51T2R

EMB51T2R

EMB51T2R

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

EMB51T2R Fiche de données

non conforme

EMB51T2R Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
8,000 $0.06408 -
16,000 $0.05696 -
24,000 $0.05340 -
56,000 $0.04984 -
7990 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de transistor 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
courant - collecteur (ic) (max) 30mA
tension - claquage collecteur-émetteur (max) 50V
résistance - base (r1) 22kOhms
résistance - base émettrice (r2) 22kOhms
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce 60 @ 5mA, 10V
saturation vce (max) à ib, ic 150mV @ 500µA, 5mA
courant - coupure du collecteur (max) 500nA
fréquence - transition 250MHz
puissance - max 150mW
type de montage Surface Mount
paquet / étui SOT-563, SOT-666
package d'appareils du fournisseur EMT6
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Numéro de pièce associé

UP0339000L
PUMB19,115
PUMB19,115
$0 $/morceau
EMF5XV6T5G
EMF5XV6T5G
$0 $/morceau
XP0611100L
NSBC123JDP6T5G
NSBC123JDP6T5G
$0 $/morceau
XN0438100L
NSBA114TDXV6T1G
NSBA114TDXV6T1G
$0 $/morceau
UMH9NTN
UMH9NTN
$0 $/morceau

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