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EMB6T2R

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TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

EMB6T2R Fiche de données

non conforme

EMB6T2R Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
8,000 $0.06462 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de transistor 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
courant - collecteur (ic) (max) 30mA
tension - claquage collecteur-émetteur (max) 50V
résistance - base (r1) 47kOhms
résistance - base émettrice (r2) 47kOhms
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce 68 @ 5mA, 5V
saturation vce (max) à ib, ic 300mV @ 500µA, 10mA
courant - coupure du collecteur (max) 500nA
fréquence - transition 250MHz
puissance - max 150mW
type de montage Surface Mount
paquet / étui SOT-563, SOT-666
package d'appareils du fournisseur EMT6
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Numéro de pièce associé

XN0621500L
DDA142JU-7-F
DMA561040R
MUN5233DW1T1
MUN5233DW1T1
$0 $/morceau
XN0421600L
NP0G3D300A
DMA564020R
PUMH9-QZ
PUMH9-QZ
$0 $/morceau
DMA561050R
DDA122LU-7-F

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