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EMD22T2R

EMD22T2R

EMD22T2R

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

EMD22T2R Fiche de données

non conforme

EMD22T2R Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
8,000 $0.09920 -
16,000 $0.09280 -
24,000 $0.08960 -
2107 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
courant - collecteur (ic) (max) 100mA
tension - claquage collecteur-émetteur (max) 50V
résistance - base (r1) 4.7kOhms
résistance - base émettrice (r2) 47kOhms
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce 80 @ 10mA, 5V
saturation vce (max) à ib, ic 300mV @ 250µA, 2.5mA
courant - coupure du collecteur (max) 500nA
fréquence - transition 250MHz
puissance - max 150mW
type de montage Surface Mount
paquet / étui SOT-563, SOT-666
package d'appareils du fournisseur EMT6
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Numéro de pièce associé

NSBA115EDXV6T1G
NSBA115EDXV6T1G
$0 $/morceau
MUN5114DW1T1
MUN5114DW1T1
$0 $/morceau
PRMH11Z
PRMH11Z
$0 $/morceau
PRMB11Z
PRMB11Z
$0 $/morceau
DDA143TUQ-13-F

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