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EMD29T2R

EMD29T2R

EMD29T2R

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.12W EMT6

EMD29T2R Fiche de données

non conforme

EMD29T2R Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
8,000 $0.10075 -
16,000 $0.09425 -
24,000 $0.09100 -
35 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
courant - collecteur (ic) (max) 100mA, 500mA
tension - claquage collecteur-émetteur (max) 50V, 12V
résistance - base (r1) 1kOhms, 10kOhms
résistance - base émettrice (r2) 10kOhms
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V
saturation vce (max) à ib, ic 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
courant - coupure du collecteur (max) 500nA
fréquence - transition 250MHz, 260MHz
puissance - max 120mW
type de montage Surface Mount
paquet / étui SOT-563, SOT-666
package d'appareils du fournisseur EMT6
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Numéro de pièce associé

RN2702,LF
NSBC124EPDP6T5G
NSBC124EPDP6T5G
$0 $/morceau
PIMD2,115
PIMD2,115
$0 $/morceau
NSVUMC2NT1G
NSVUMC2NT1G
$0 $/morceau
BCR48PNH6433XTMA1
NSBC143ZPDXV6T1G
NSBC143ZPDXV6T1G
$0 $/morceau
PEMH20,115
PEMH20,115
$0 $/morceau
XP0621100L
SMUN5311DW1T2G
SMUN5311DW1T2G
$0 $/morceau

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