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EMD3T2R

EMD3T2R

EMD3T2R

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

EMD3T2R Fiche de données

non conforme

EMD3T2R Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
8,000 $0.09690 -
16,000 $0.08835 -
24,000 $0.08265 -
56,000 $0.07980 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
courant - collecteur (ic) (max) 100mA
tension - claquage collecteur-émetteur (max) 50V
résistance - base (r1) 10kOhms
résistance - base émettrice (r2) 10kOhms
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce 30 @ 5mA, 5V
saturation vce (max) à ib, ic 300mV @ 500µA, 10mA
courant - coupure du collecteur (max) 500nA
fréquence - transition 250MHz
puissance - max 150mW
type de montage Surface Mount
paquet / étui SOT-563, SOT-666
package d'appareils du fournisseur EMT6
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Numéro de pièce associé

DCX114YUQ-7-F
MUN5114DW1T1G
MUN5114DW1T1G
$0 $/morceau
NSBC123TPDP6T5G
NSBC123TPDP6T5G
$0 $/morceau
NSBA144EDXV6T5G
NSBA144EDXV6T5G
$0 $/morceau
DDA114TH-7
DDA114TH-7
$0 $/morceau
PUMH9,135
PUMH9,135
$0 $/morceau
EMF5XV6T5
EMF5XV6T5
$0 $/morceau
PEMD6,115
PEMD6,115
$0 $/morceau
PUMB17/ZL115
PUMB17/ZL115
$0 $/morceau

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