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EMD53T2R

EMD53T2R

EMD53T2R

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

EMD53T2R Fiche de données

compliant

EMD53T2R Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
8,000 $0.06408 -
16,000 $0.05696 -
24,000 $0.05340 -
56,000 $0.04984 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
courant - collecteur (ic) (max) 100mA
tension - claquage collecteur-émetteur (max) 50V
résistance - base (r1) 10kOhms
résistance - base émettrice (r2) 10kOhms
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce 35 @ 5mA, 10V
saturation vce (max) à ib, ic 150mV @ 500µA, 5mA
courant - coupure du collecteur (max) 500nA
fréquence - transition 250MHz
puissance - max 150mW
type de montage Surface Mount
paquet / étui SOT-563, SOT-666
package d'appareils du fournisseur EMT6
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Numéro de pièce associé

BCR116SH6327XTSA1
PEMB9,315
PEMB9,315
$0 $/morceau
PIMN32-QX
PIMN32-QX
$0 $/morceau
RN4910,LF
BCR135SH6327XTSA1
UP04112G0L
IMD6AT108
IMD6AT108
$0 $/morceau
EMD5T2R
EMD5T2R
$0 $/morceau
SMUN5216DW1T1G
SMUN5216DW1T1G
$0 $/morceau
EMD4DXV6T1G
EMD4DXV6T1G
$0 $/morceau

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