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EMD6T2R

EMD6T2R

EMD6T2R

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

EMD6T2R Fiche de données

non conforme

EMD6T2R Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
8,000 $0.09690 -
16,000 $0.08835 -
24,000 $0.08265 -
56,000 $0.07980 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
courant - collecteur (ic) (max) 100mA
tension - claquage collecteur-émetteur (max) 50V
résistance - base (r1) 4.7kOhms
résistance - base émettrice (r2) -
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce 100 @ 1mA, 5V
saturation vce (max) à ib, ic 300mV @ 250µA, 5mA
courant - coupure du collecteur (max) -
fréquence - transition 250MHz
puissance - max 150mW
type de montage Surface Mount
paquet / étui SOT-563, SOT-666
package d'appareils du fournisseur EMT6
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Numéro de pièce associé

PEMH18,115
PEMH18,115
$0 $/morceau
EMH75T2R
EMH75T2R
$0 $/morceau
NSVBC143ZPDXV6T1G
NSVBC143ZPDXV6T1G
$0 $/morceau
XN0421L00L
NSBC143ZDXV6T1G
NSBC143ZDXV6T1G
$0 $/morceau
RN2711,LF
UP01213G0L

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