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EMD9T2R

EMD9T2R

EMD9T2R

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

EMD9T2R Fiche de données

non conforme

EMD9T2R Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
8,000 $0.09690 -
16,000 $0.08835 -
24,000 $0.08265 -
56,000 $0.07980 -
4 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
courant - collecteur (ic) (max) 100mA
tension - claquage collecteur-émetteur (max) 50V
résistance - base (r1) 10kOhms
résistance - base émettrice (r2) 47kOhms
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce 68 @ 5mA, 5V
saturation vce (max) à ib, ic 300mV @ 250µA, 5mA
courant - coupure du collecteur (max) 500nA
fréquence - transition 250MHz
puissance - max 150mW
type de montage Surface Mount
paquet / étui SOT-563, SOT-666
package d'appareils du fournisseur EMT6
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Numéro de pièce associé

PUMB10,115
PUMB10,115
$0 $/morceau
PBLS2001D,115
PBLS2001D,115
$0 $/morceau
NHUMH9F
NHUMH9F
$0 $/morceau
PEMD15,115
PEMD15,115
$0 $/morceau
NSBA143EDXV6T1
NSBA143EDXV6T1
$0 $/morceau
2SC164S_R1_00001
PUMB1,115
PUMB1,115
$0 $/morceau
DDC114YUQ-7-F
DTA015EUBTL
DTA015EUBTL
$0 $/morceau
PUMB20,115
PUMB20,115
$0 $/morceau

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