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EMG3T2R

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TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT3

EMG3T2R Fiche de données

non conforme

EMG3T2R Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
8,000 $0.06462 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
courant - collecteur (ic) (max) 100mA
tension - claquage collecteur-émetteur (max) 50V
résistance - base (r1) 4.7kOhms
résistance - base émettrice (r2) -
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce 100 @ 1mA, 5V
saturation vce (max) à ib, ic 150mV @ 250µA, 5mA
courant - coupure du collecteur (max) 500nA (ICBO)
fréquence - transition 250MHz
puissance - max 150mW
type de montage Surface Mount
paquet / étui SC-75, SOT-416
package d'appareils du fournisseur EMT3
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Numéro de pièce associé

PEMB4,115
PEMB4,115
$0 $/morceau
PEMH15,115
PEMH15,115
$0 $/morceau
NUS2401SNT1
NUS2401SNT1
$0 $/morceau
NSVMUN5213DW1T3G
NSVMUN5213DW1T3G
$0 $/morceau
NSBC124EDXV6T1G
NSBC124EDXV6T1G
$0 $/morceau
NSBA115TDP6T5G
NSBA115TDP6T5G
$0 $/morceau
PUMD12,115
PUMD12,115
$0 $/morceau
PQMD2Z
PQMD2Z
$0 $/morceau

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