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EMH10T2R

EMH10T2R

EMH10T2R

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6

EMH10T2R Fiche de données

non conforme

EMH10T2R Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
8,000 $0.09690 -
16,000 $0.08835 -
24,000 $0.08265 -
56,000 $0.07980 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
courant - collecteur (ic) (max) 100mA
tension - claquage collecteur-émetteur (max) 50V
résistance - base (r1) 22kOhms
résistance - base émettrice (r2) 22kOhms
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce 56 @ 5mA, 5V
saturation vce (max) à ib, ic 300mV @ 500µA, 10mA
courant - coupure du collecteur (max) 500nA
fréquence - transition 250MHz
puissance - max 150mW
type de montage Surface Mount
paquet / étui SOT-563, SOT-666
package d'appareils du fournisseur EMT6
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Numéro de pièce associé

NSBC143TPDXV6T1G
NSBC143TPDXV6T1G
$0 $/morceau
RN1706,LF
PEMB9,115
PEMB9,115
$0 $/morceau
ADC114YUQ-7
ADC114YUQ-7
$0 $/morceau
MUN5236DW1T1
MUN5236DW1T1
$0 $/morceau
DCX124EU-7-F
NSB4904DW1T1G
NSB4904DW1T1G
$0 $/morceau
NSVMUN5211DW1T3G
NSVMUN5211DW1T3G
$0 $/morceau

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