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EMH11T2R

EMH11T2R

EMH11T2R

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6

EMH11T2R Fiche de données

non conforme

EMH11T2R Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
8,000 $0.09690 -
16,000 $0.08835 -
24,000 $0.08265 -
56,000 $0.07980 -
24000 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
courant - collecteur (ic) (max) 100mA
tension - claquage collecteur-émetteur (max) 50V
résistance - base (r1) 10kOhms
résistance - base émettrice (r2) 10kOhms
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce 30 @ 5mA, 5V
saturation vce (max) à ib, ic 300mV @ 500µA, 10mA
courant - coupure du collecteur (max) 500nA
fréquence - transition 250MHz
puissance - max 150mW
type de montage Surface Mount
paquet / étui SOT-563, SOT-666
package d'appareils du fournisseur EMT6
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Numéro de pièce associé

PEMD48,115
PEMD48,115
$0 $/morceau
DCX123JK-7-F
DCX114TU-7-F
PUMH16,115
PUMH16,115
$0 $/morceau
NHUMD12F
NHUMD12F
$0 $/morceau
DCX123JU-7-F
PBLS4003Y,115
PBLS4003Y,115
$0 $/morceau
UMG2NTR
UMG2NTR
$0 $/morceau
NSVBC143JPDXV6T5G
NSVBC143JPDXV6T5G
$0 $/morceau

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