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EMH60T2R

EMH60T2R

EMH60T2R

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6

EMH60T2R Fiche de données

non conforme

EMH60T2R Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
8,000 $0.06408 -
16,000 $0.05696 -
24,000 $0.05340 -
56,000 $0.04984 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
courant - collecteur (ic) (max) 100mA
tension - claquage collecteur-émetteur (max) 50V
résistance - base (r1) 2.2kOhms
résistance - base émettrice (r2) 47kOhms
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce 80 @ 5mA, 10V
saturation vce (max) à ib, ic 150mV @ 500µA, 5mA
courant - coupure du collecteur (max) 500nA
fréquence - transition 250MHz
puissance - max 150mW
type de montage Surface Mount
paquet / étui SOT-563, SOT-666
package d'appareils du fournisseur EMT6
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Numéro de pièce associé

PEMD16,115
PEMD16,115
$0 $/morceau
SMUN5237DW1T1G
SMUN5237DW1T1G
$0 $/morceau
DDA114YU-7
DDA114YU-7
$0 $/morceau
PUMD48,125
PUMD48,125
$0 $/morceau
NSBA143EDP6T5G
NSBA143EDP6T5G
$0 $/morceau
NSVBC124XDXV6T1G
NSVBC124XDXV6T1G
$0 $/morceau
DDC144TH-7-F
NSBA114TDXV6T5G
NSBA114TDXV6T5G
$0 $/morceau

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