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EMH6T2R

EMH6T2R

EMH6T2R

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6

EMH6T2R Fiche de données

non conforme

EMH6T2R Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
8,000 $0.09690 -
16,000 $0.08835 -
24,000 $0.08265 -
56,000 $0.07980 -
15023 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
courant - collecteur (ic) (max) 100mA
tension - claquage collecteur-émetteur (max) 50V
résistance - base (r1) 47kOhms
résistance - base émettrice (r2) 47kOhms
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce 68 @ 5mA, 5V
saturation vce (max) à ib, ic 300mV @ 500µA, 10mA
courant - coupure du collecteur (max) 500nA
fréquence - transition 250MHz
puissance - max 150mW
type de montage Surface Mount
paquet / étui SOT-563, SOT-666
package d'appareils du fournisseur EMT6
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Numéro de pièce associé

NSVMUN5211DW1T2G
NSVMUN5211DW1T2G
$0 $/morceau
NSVEMC2DXV5T1G
NSVEMC2DXV5T1G
$0 $/morceau
UP04215G0L
RN1702,LF
MUN5311DW1T1
MUN5311DW1T1
$0 $/morceau
EMD2FHAT2R
EMD2FHAT2R
$0 $/morceau
NSBA124EDP6T5G
NSBA124EDP6T5G
$0 $/morceau
NSBC123JDXV6T1G
NSBC123JDXV6T1G
$0 $/morceau
EMD59T2R
EMD59T2R
$0 $/morceau

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