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HP8K22TB

HP8K22TB

HP8K22TB

30V NCH+NCH MID POWER MOSFET

HP8K22TB Fiche de données

non conforme

HP8K22TB Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.47740 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Half Bridge)
fonctionnalité FET -
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 27A, 57A
rds activé (max) à id, vgs 4.6mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 16.8nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1080pF @ 15V
puissance - max 25W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-PowerTDFN
package d'appareils du fournisseur 8-HSOP
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Numéro de pièce associé

DMP2075UFDB-13
DMN2004DWK-7
APTC60TAM35PG
SP8J2TB
SP8J2TB
$0 $/morceau
FDY3000NZ
FDY3000NZ
$0 $/morceau
SI4804CDY-T1-GE3
CPH3407-TL-E
CPH3407-TL-E
$0 $/morceau
DMN61D8LVTQ-7
AOD609G
SI4931DY-T1-E3
SI4931DY-T1-E3
$0 $/morceau

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