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HP8S36TB

HP8S36TB

HP8S36TB

30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET,

HP8S36TB Fiche de données

compliant

HP8S36TB Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.58800 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Half Bridge)
fonctionnalité FET -
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 27A, 80A
rds activé (max) à id, vgs 2.4mOhm @ 32A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 47nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 6100pF @ 15V
puissance - max 29W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-PowerTDFN
package d'appareils du fournisseur 8-HSOP
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Numéro de pièce associé

SI7940DP-T1-GE3
SI4200DY-T1-GE3
SI6966EDQ-T1-E3
APTM08TDUM04PG
SI4388DY-T1-GE3
SI1553DL-T1-GE3
ZDM4306NTC
ZDM4306NTC
$0 $/morceau
SH8M14TB1
SH8M14TB1
$0 $/morceau
IRFHE4250DTRPBF
IRF9952QTRPBF

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