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HS8K11TB

HS8K11TB

HS8K11TB

MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML

HS8K11TB Fiche de données

compliant

HS8K11TB Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.21700 -
6,000 $0.20300 -
15,000 $0.19600 -
3045 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 7A, 11A
rds activé (max) à id, vgs 17.9mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 11.1nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 500pF @ 15V
puissance - max 2W
température de fonctionnement 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-UDFN Exposed Pad
package d'appareils du fournisseur HSML3030L10
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Numéro de pièce associé

IPA126N10N3G
SI7220DN-T1-E3
SI7220DN-T1-E3
$0 $/morceau
FDG6320C
FDG6320C
$0 $/morceau
FQB12N50TM
CAB011M12FM3
CAB011M12FM3
$0 $/morceau
DMN53D0LDW-13
ALD210804PCL
DMC31D5UDA-7B
DMC25D1UVT-13

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