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QH8KA4TCR

QH8KA4TCR

QH8KA4TCR

30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET

QH8KA4TCR Fiche de données

compliant

QH8KA4TCR Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.37380 -
3000 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET -
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 9A
rds activé (max) à id, vgs 17mOhm @ 7A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1.5V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 12nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1400pF @ 10V
puissance - max 1.5W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SMD, Flat Lead
package d'appareils du fournisseur TSMT8
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Numéro de pièce associé

PMDPB56XN,115
PMDPB56XN,115
$0 $/morceau
EFC2K101NUZTDG
EFC2K101NUZTDG
$0 $/morceau
NX3020NAKV,115
DMN33D9LV-13
PMDT670UPE,115
SI7540ADP-T1-GE3
SI1926DL-T1-E3
SI1926DL-T1-E3
$0 $/morceau
SIZ926DT-T1-GE3
AOE6936

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