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Nom | Valeur |
---|---|
statut du produit | Active |
type de FET | N and P-Channel |
fonctionnalité FET | Standard |
Tension drain-source (vdss) | 40V |
courant - consommation continue (id) à 25°c | 4.5A (Ta), 2A (Ta) |
rds activé (max) à id, vgs | 46mOhm @ 4.5A, 10V, 190mOhm @ 2A, 10V |
vgs(th) (max) à id | 2.5V @ 10µA, 3V @ 1mA |
charge de porte (qg) (max) @ vgs | 2.6nC @ 10V, 9.5nC @ 10V |
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds | 193pF @ 20V, 450pF @ 20V |
puissance - max | 1.1W (Ta) |
température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
type de montage | Surface Mount |
paquet / étui | 8-SMD, Flat Lead |
package d'appareils du fournisseur | TSMT8 |
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