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QH8MA2TCR

QH8MA2TCR

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MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8

QH8MA2TCR Fiche de données

compliant

QH8MA2TCR Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.20150 -
89 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N and P-Channel
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 4.5A, 3A
rds activé (max) à id, vgs 35mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 8.4nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 365pF @ 10V
puissance - max 1.25W
température de fonctionnement 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SMD, Flat Lead
package d'appareils du fournisseur TSMT8
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Numéro de pièce associé

SI7904BDN-T1-GE3
NTLJD3119CTBG
NTLJD3119CTBG
$0 $/morceau
BSC076N04NDATMA1
ALD212904SAL
EM6K1T2R
EM6K1T2R
$0 $/morceau
FDR8702H
DMN2013UFX-7
AON3814
IPG20N06S4L11ATMA1
DMN62D0UT-7
DMN62D0UT-7
$0 $/morceau

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