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QS6K1TR

QS6K1TR

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MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6

QS6K1TR Fiche de données

non conforme

QS6K1TR Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.21750 -
1273 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 1A
rds activé (max) à id, vgs 238mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1.5V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 2.4nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 77pF @ 10V
puissance - max 1.25W
température de fonctionnement 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
package d'appareils du fournisseur TSMT6 (SC-95)
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Numéro de pièce associé

NTMD6P02R2G
NTMD6P02R2G
$0 $/morceau
DMN2005DLP4K-7
APTM100H45SCTG
SQJQ910EL-T1_GE3
DMP2200UDW-7
SI7956DP-T1-E3
SI7956DP-T1-E3
$0 $/morceau
FDW2511NZ
APTM120H29FG
CPH6339-TL-E
CPH6339-TL-E
$0 $/morceau

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