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QS6M3TR

QS6M3TR

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MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6

QS6M3TR Fiche de données

non conforme

QS6M3TR Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.18135 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N and P-Channel
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 30V, 20V
courant - consommation continue (id) à 25°c 1.5A
rds activé (max) à id, vgs 230mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1.5V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 1.6nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 80pF @ 10V
puissance - max 1.25W
température de fonctionnement 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
package d'appareils du fournisseur TSMT6 (SC-95)
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Numéro de pièce associé

EFC6602R-TR
EFC6602R-TR
$0 $/morceau
IRF7341PBF
SI4804CDY-T1-E3
SI4834BDY-T1-GE3
DMP22D5UDJ
DMP22D5UDJ
$0 $/morceau
NTZD3154NT1H
NTZD3154NT1H
$0 $/morceau
CSD75211W1723
CSD75211W1723
$0 $/morceau
SI5904DC-T1-GE3
DMP3098LSD-13

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