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QS8K11TCR

QS8K11TCR

QS8K11TCR

4V DRIVE NCH+NCH MOSFET

QS8K11TCR Fiche de données

compliant

QS8K11TCR Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.29435 -
6,000 $0.28420 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET -
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 3.5A
rds activé (max) à id, vgs 50mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 3.3nC @ 5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 180pF @ 10V
puissance - max 1.5W
température de fonctionnement 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SMD, Flat Lead
package d'appareils du fournisseur TSMT8
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Numéro de pièce associé

AON3820
DMC25D0UVT-13
NTGD4167CT1G
NTGD4167CT1G
$0 $/morceau
SIZ988DT-T1-GE3
MMDF2P02HDR2G
MMDF2P02HDR2G
$0 $/morceau
IPG20N04S412ATMA1
DMP2035UTS-13
BUK7K12-60EX
BUK7K12-60EX
$0 $/morceau
IPG16N10S461AATMA1

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