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QS8M11TCR

QS8M11TCR

QS8M11TCR

MOSFET N/P-CH 30V 3.5A TSMT8

QS8M11TCR Fiche de données

compliant

QS8M11TCR Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.28710 -
1590 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N and P-Channel
fonctionnalité FET -
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 3.5A
rds activé (max) à id, vgs -
vgs(th) (max) à id -
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
puissance - max -
température de fonctionnement -
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SMD, Flat Lead
package d'appareils du fournisseur TSMT8
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Numéro de pièce associé

FDMS9620S
FDMS9620S
$0 $/morceau
NVMFD5852NLWFT1G
NVMFD5852NLWFT1G
$0 $/morceau
SH8JC5TB1
SH8JC5TB1
$0 $/morceau
SI1029X-T1-GE3
SI1029X-T1-GE3
$0 $/morceau
BSO150N03MDGXUMA1
DMT3020LFDBQ-13
2N7002PSZ
2N7002PSZ
$0 $/morceau
ALD1101PAL
SIA537EDJ-T1-GE3

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