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| Nom | Valeur |
|---|---|
| statut du produit | Active |
| type de FET | N and P-Channel |
| fonctionnalité FET | Standard |
| Tension drain-source (vdss) | 60V |
| courant - consommation continue (id) à 25°c | 3A (Ta), 2A (Ta) |
| rds activé (max) à id, vgs | 112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V |
| vgs(th) (max) à id | 2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA |
| charge de porte (qg) (max) @ vgs | 4nC @ 5V, 7.2nC @ 5V |
| capacité d'entrée (ciss) (max) à vds | 270pF @ 10V, 750pF @ 10V |
| puissance - max | 1.1W (Ta) |
| température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| type de montage | Surface Mount |
| paquet / étui | 8-SMD, Flat Lead |
| package d'appareils du fournisseur | TSMT8 |
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