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R6003KND3TL1

R6003KND3TL1

R6003KND3TL1

MOSFET N-CH 600V 3A TO252

compliant

R6003KND3TL1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.65772 -
2318 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 3A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 1.5Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max) à id 5.5V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 8 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 185 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 44W (Tc)
température de fonctionnement 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur TO-252
paquet / étui TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Numéro de pièce associé

FDS6612A
FDS6612A
$0 $/morceau
FQA24N60
FQA24N60
$0 $/morceau
IPB100N06S3-04
FQD11P06TM
FQD11P06TM
$0 $/morceau
BSZ100N03LSGATMA1
IXTY8N70X2
IXTY8N70X2
$0 $/morceau
IRFBE30PBF
IRFBE30PBF
$0 $/morceau
DMN3033LSN-7
FCH077N65F-F155
FCH077N65F-F155
$0 $/morceau
STD5406NT4G
STD5406NT4G
$0 $/morceau

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