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R6004JNJGTL

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MOSFET N-CH 600V 4A LPTS

non conforme

R6004JNJGTL Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $2.34000 $2.34
500 $2.3166 $1158.3
1000 $2.2932 $2293.2
1500 $2.2698 $3404.7
2000 $2.2464 $4492.8
2500 $2.223 $5557.5
1095 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 4A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 15V
rds activé (max) à id, vgs 1.43Ohm @ 2A, 15V
vgs(th) (max) à id 7V @ 450µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 10.5 nC @ 15 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 260 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 60W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur LPTS
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Numéro de pièce associé

FDN357N
FDN357N
$0 $/morceau
AON1634
BSC0902NSATMA1
IXFP24N60X
IXFP24N60X
$0 $/morceau
NTMFS08N003C
NTMFS08N003C
$0 $/morceau
IXFP36N30P3
IXFP36N30P3
$0 $/morceau
IXFH50N50P3
IXFH50N50P3
$0 $/morceau
STP45N60DM2AG
NTMFS4937NCT3G
NTMFS4937NCT3G
$0 $/morceau

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