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R6007JND3TL1

R6007JND3TL1

R6007JND3TL1

MOSFET N-CH 600V 7A TO252

compliant

R6007JND3TL1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $2.01000 $2.01
500 $1.9899 $994.95
1000 $1.9698 $1969.8
1500 $1.9497 $2924.55
2000 $1.9296 $3859.2
2500 $1.9095 $4773.75
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 7A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 15V
rds activé (max) à id, vgs 780mOhm @ 3.5A, 15V
vgs(th) (max) à id 7V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 17.5 nC @ 15 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 475 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 96W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur TO-252
paquet / étui TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Numéro de pièce associé

IXTQ110N10P
IXTQ110N10P
$0 $/morceau
BSC0504NSIATMA1
IPD110N12N3GATMA1
BSS84PH6327XTSA2
RTR030P02HZGTL
CSD17578Q3A
CSD17578Q3A
$0 $/morceau
CSD13303W1015
CSD13303W1015
$0 $/morceau
IXTA48N20T
IXTA48N20T
$0 $/morceau
IXFQ60N60X
IXFQ60N60X
$0 $/morceau
IPLK70R600P7ATMA1

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