Welcome to ichome.com!

logo
Maison

R6009ENX

R6009ENX

R6009ENX

MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM

R6009ENX Fiche de données

non conforme

R6009ENX Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $2.94000 $2.94
10 $2.64200 $26.42
100 $2.16450 $216.45
500 $1.84260 $921.3
1,000 $1.55400 -
400 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 9A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 535mOhm @ 2.8A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 23 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 430 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 40W (Tc)
température de fonctionnement 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220FM
paquet / étui TO-220-3 Full Pack
Le chargement du PDF a échoué, vous pouvez essayer de l'ouvrir dans une nouvelle fenêtre pour y accéder [Ouvrir], ou cliquez pour revenir

Numéro de pièce associé

FQAF19N60
RS1E260ATTB1
RS1E260ATTB1
$0 $/morceau
NTTFS1D8N02P1E
NTTFS1D8N02P1E
$0 $/morceau
NTGS3441T1
NTGS3441T1
$0 $/morceau
IXTA180N10T-TRL
IXTA180N10T-TRL
$0 $/morceau
IPB80P03P4L04ATMA1
MSC040SMA120J
NVMYS2D1N04CLTWG
NVMYS2D1N04CLTWG
$0 $/morceau
IPD90N08S405ATMA1

Votre partenaire fiable en électronique

Dédié à dépasser vos attentes. IChome : le service client redéfini pour l'industrie électronique.