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R6012JNXC7G

R6012JNXC7G

R6012JNXC7G

MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM

SOT-23

non conforme

R6012JNXC7G Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $4.19000 $4.19
500 $4.1481 $2074.05
1000 $4.1062 $4106.2
1500 $4.0643 $6096.45
2000 $4.0224 $8044.8
2500 $3.9805 $9951.25
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 12A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 15V
rds activé (max) à id, vgs 390mOhm @ 6A, 15V
vgs(th) (max) à id 7V @ 2.5mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 28 nC @ 15 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 900 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 60W (Tc)
température de fonctionnement 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220FM
paquet / étui TO-220-3 Full Pack
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Numéro de pièce associé

FDPF4N60NZ
FDPF4N60NZ
$0 $/morceau
SI7848BDP-T1-GE3
PMH550UPEH
PMH550UPEH
$0 $/morceau
AON6220
SI2342DS-T1-GE3
NX138BKWF
NX138BKWF
$0 $/morceau
FDD5N50FTM-WS
FDD5N50FTM-WS
$0 $/morceau
DMN3016LK3-13
GPI65005DF
GPI65005DF
$0 $/morceau
SI7742DP-T1-GE3

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