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R6015FNX

R6015FNX

R6015FNX

MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM

R6015FNX Fiche de données

non conforme

R6015FNX Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $5.64000 $5.64
10 $5.06900 $50.69
100 $4.15350 $415.35
500 $3.53580 $1767.9
1,000 $2.98200 -
698 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 15A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 350mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (max) à id 5V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 42 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1660 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 50W (Tc)
température de fonctionnement 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220FM
paquet / étui TO-220-3 Full Pack
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Numéro de pièce associé

IPZA60R180P7XKSA1
SI7431DP-T1-E3
SI7431DP-T1-E3
$0 $/morceau
SQJ860EP-T1_GE3
STF12N120K5
STF12N120K5
$0 $/morceau
IPP60R120P7XKSA1
SI7460DP-T1-E3
SI7460DP-T1-E3
$0 $/morceau
AOD4286
DI9942T
DI9942T
$0 $/morceau
NTR4101PT1H
NTR4101PT1H
$0 $/morceau

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