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R6020FNX

R6020FNX

R6020FNX

MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM

R6020FNX Fiche de données

compliant

R6020FNX Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $6.59000 $6.59
10 $5.95600 $59.56
100 $4.93060 $493.06
500 $4.29350 $2146.75
1,000 $3.87800 -
497 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 20A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 250mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) à id 5V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 65 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2040 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 50W (Tc)
température de fonctionnement 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220FM
paquet / étui TO-220-3 Full Pack
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Numéro de pièce associé

NVD5C688NLT4G
NVD5C688NLT4G
$0 $/morceau
RMA4N60092
RMA4N60092
$0 $/morceau
SQS484EN-T1_GE3
SI1427EDH-T1-BE3
SFT1450-TL-H
SFT1450-TL-H
$0 $/morceau
FDD2612
FDD2612
$0 $/morceau
DMN63D8L-13
DMN63D8L-13
$0 $/morceau
NTBLS4D0N15MC
NTBLS4D0N15MC
$0 $/morceau
IPP80R1K2P7XKSA1
R6015ANX
R6015ANX
$0 $/morceau

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