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R6025JNZC8

R6025JNZC8

R6025JNZC8

MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF

compliant

R6025JNZC8 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $7.88000 $7.88
500 $7.8012 $3900.6
1000 $7.7224 $7722.4
1500 $7.6436 $11465.4
2000 $7.5648 $15129.6
2500 $7.486 $18715
13 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 25A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 15V
rds activé (max) à id, vgs 182mOhm @ 12.5A, 15V
vgs(th) (max) à id 7V @ 4.5mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 57 nC @ 15 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1900 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 85W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-3PF
paquet / étui TO-3P-3 Full Pack
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Numéro de pièce associé

IXTA32P20T-TRL
IXTA32P20T-TRL
$0 $/morceau
LND150N3-G-P003
SI4686DY-T1-GE3
SIHF35N60EF-GE3
FDB075N15A
FDB075N15A
$0 $/morceau
RQ6C050BCTCR
RQ6C050BCTCR
$0 $/morceau
BSC110N06NS3GATMA1
FDA24N50F
FDA24N50F
$0 $/morceau
SIHG24N80AE-GE3
SIJH600E-T1-GE3

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