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R6030ENX

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MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

R6030ENX Fiche de données

non conforme

R6030ENX Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $4.88000 $4.88
10 $4.37900 $43.79
100 $3.58800 $358.8
500 $3.05440 $1527.2
1,000 $2.57600 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 30A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 130mOhm @ 14.5A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 85 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2100 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 40W (Tc)
température de fonctionnement 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220FM
paquet / étui TO-220-3 Full Pack
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Numéro de pièce associé

SMBF5460LT1
SMBF5460LT1
$0 $/morceau
DMP6110SVTQ-13
IPB140N08S404ATMA1
AON6260
SIHF12N60E-GE3
SIHF12N60E-GE3
$0 $/morceau
IXFT150N17T2
IXFT150N17T2
$0 $/morceau
SIRA54DP-T1-GE3
SQJA04EP-T1_BE3

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