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Nom | Valeur |
---|---|
statut du produit | Obsolete |
type de FET | N-Channel |
technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Tension drain-source (vdss) | 600 V |
courant - consommation continue (id) à 25°c | 30A (Tc) |
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) | 15V |
rds activé (max) à id, vgs | 143mOhm @ 15A, 15V |
vgs(th) (max) à id | 7V @ 5.5mA |
charge de porte (qg) (max) @ vgs | 74 nC @ 15 V |
vgs (max) | ±30V |
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds | 2500 pF @ 100 V |
fonctionnalité FET | - |
puissance dissipée (max) | 93W (Tc) |
température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
type de montage | Through Hole |
package d'appareils du fournisseur | TO-3PF |
paquet / étui | TO-3P-3 Full Pack |
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