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R8002ANJGTL

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NCH 800V 2A POWER MOSFET : R8002

compliant

R8002ANJGTL Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $3.25000 $3.25
500 $3.2175 $1608.75
1000 $3.185 $3185
1500 $3.1525 $4728.75
2000 $3.12 $6240
2500 $3.0875 $7718.75
1000 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 800 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 2A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 4.3Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max) à id 5V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 13 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 250 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 62W (Tc)
température de fonctionnement 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur TO-263S
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Numéro de pièce associé

SIHD14N60ET4-GE3
IAUT300N10S5N014ATMA1
UJ4C075033K3S
UJ4C075033K3S
$0 $/morceau
DMT2004UFG-13
NTTFS6H854NTAG
NTTFS6H854NTAG
$0 $/morceau
DMN31D6UT-13
BUZ331
BUZ331
$0 $/morceau
STL260N4LF7
STL260N4LF7
$0 $/morceau
DMP21D0UFB4-7R

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