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RCD075N19TL

RCD075N19TL

RCD075N19TL

MOSFET N-CH 190V 7.5A CPT3

compliant

RCD075N19TL Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.39200 -
1 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 190 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 7.5A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 336mOhm @ 3.8A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1100 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 850mW (Ta), 20W (Tc)
température de fonctionnement 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur CPT3
paquet / étui TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Numéro de pièce associé

DMN2040UVT-13
IST007N04NM6AUMA1
SI7629DN-T1-GE3
IXTK200N10L2
IXTK200N10L2
$0 $/morceau
IRFP450PBF
IRFP450PBF
$0 $/morceau
FDS7788
FDS7788
$0 $/morceau
SPP80N06S-08
SIHB16N50C-E3
SIHB16N50C-E3
$0 $/morceau
VN2106N3-G
VN2106N3-G
$0 $/morceau
IRLS4030TRL7PP

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