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RD3T050CNTL1

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RD3T050CNTL1

MOSFET N-CH 200V 5A TO252

compliant

RD3T050CNTL1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.46480 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 200 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 5A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 760mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max) à id 5.25V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 8.3 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 330 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 29W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur TO-252
paquet / étui TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Numéro de pièce associé

IPA80R1K4P7XKSA1
R6004KNJTL
R6004KNJTL
$0 $/morceau
FKV550T
FKV550T
$0 $/morceau
DMPH4011SK3-13
APT6010B2LLG
BTS129NKSA1
SUD50P04-08-GE3

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