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RF4E110GNTR

RF4E110GNTR

RF4E110GNTR

MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8

compliant

RF4E110GNTR Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.16275 -
6,000 $0.15225 -
15,000 $0.14700 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 11A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 11.3mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 7.4 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 504 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 2W (Ta)
température de fonctionnement 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur HUML2020L8
paquet / étui 8-PowerUDFN
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Numéro de pièce associé

FQD5N15TM
FQD5N15TM
$0 $/morceau
DMTH6016LFDFWQ-7R
DMN10H099SK3-13
RSJ450N04TL
RSJ450N04TL
$0 $/morceau
IRF740BPBF
IRF740BPBF
$0 $/morceau
BUK7E4R6-60E,127
IPB90N06S4L04ATMA2
BUK6E3R2-55C,127
NTMFS5C442NLTT1G
NTMFS5C442NLTT1G
$0 $/morceau

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