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RFN1LAM6STR

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DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM

non conforme

RFN1LAM6STR Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.08760 -
6,000 $0.07884 -
15,000 $0.07008 -
30,000 $0.06570 -
75,000 $0.06132 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de diode Standard
tension - courant continu inverse (vr) (max) 600 V
courant - moyen redressé (io) 800mA
tension - directe (vf) (max) @ if 1.45 V @ 800 mA
vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr) 35 ns
courant - fuite inverse @ vr 1 µA @ 600 V
capacité à vr, f -
type de montage Surface Mount
paquet / étui SOD-128
package d'appareils du fournisseur PMDTM
température de fonctionnement - jonction 150°C (Max)
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Numéro de pièce associé

JAN1N4150UR-1/TR
ES1GFS
RF505BGE6STL
RF505BGE6STL
$0 $/morceau
SB250
SB250
$0 $/morceau
NXPSC166506Q
GS1R-LTP
GS1R-LTP
$0 $/morceau
MBR120VLSFT1G
MBR120VLSFT1G
$0 $/morceau
ES1DL M2G
JANTXV1N4500

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