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Nom | Valeur |
---|---|
statut du produit | Active |
type de FET | N-Channel |
technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Tension drain-source (vdss) | 20 V |
courant - consommation continue (id) à 25°c | 7.5A (Ta) |
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) | 1.5V, 4.5V |
rds activé (max) à id, vgs | 16mOhm @ 7.5A, 4.5V |
vgs(th) (max) à id | 1V @ 1mA |
charge de porte (qg) (max) @ vgs | 18 nC @ 4.5 V |
vgs (max) | ±10V |
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds | 1400 pF @ 10 V |
fonctionnalité FET | - |
puissance dissipée (max) | 700mW (Ta) |
température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
type de montage | Surface Mount |
package d'appareils du fournisseur | TSMT8 |
paquet / étui | 8-SMD, Flat Lead |
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