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RQ1C075UNTR

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MOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8

non conforme

RQ1C075UNTR Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.23200 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 20 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 7.5A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 1.5V, 4.5V
rds activé (max) à id, vgs 16mOhm @ 7.5A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 18 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1400 pF @ 10 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 700mW (Ta)
température de fonctionnement 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur TSMT8
paquet / étui 8-SMD, Flat Lead
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Numéro de pièce associé

STP3N150
STP3N150
$0 $/morceau
AOSP32314
SI3438DV-T1-E3
SI3438DV-T1-E3
$0 $/morceau
NTHL019N65S3H
NTHL019N65S3H
$0 $/morceau
IRF510PBF-BE3
IRF510PBF-BE3
$0 $/morceau
SUD50P06-15L-T4-E3
PMCM4401VPE084
PMCM4401VPE084
$0 $/morceau
IPP530N15N3GXKSA1
HUFA75307P3

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