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RQ3E075ATTB

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RQ3E075ATTB

MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT

compliant

RQ3E075ATTB Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.43120 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET P-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 18A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 23mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 10.4 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 930 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 15W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur 8-HSMT (3.2x3)
paquet / étui 8-PowerVDFN
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Numéro de pièce associé

CSD18512Q5B
CSD18512Q5B
$0 $/morceau
STL40N10F7
STL40N10F7
$0 $/morceau
IRFR014TRLPBF
IRFR014TRLPBF
$0 $/morceau
BUK969R3-100E,118
BUK9535-100A,127
BUK9535-100A,127
$0 $/morceau
BSZ019N03LSATMA1
IRLZ14PBF
IRLZ14PBF
$0 $/morceau
IRFR9014TRPBF-BE3
SI2366DS-T1-BE3

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