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RQ3E080BNTB

RQ3E080BNTB

RQ3E080BNTB

MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT

compliant

RQ3E080BNTB Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.10620 -
6,000 $0.10030 -
15,000 $0.09145 -
30,000 $0.08555 -
75,000 $0.08260 -
24 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 8A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 15.2mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 14.5 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 660 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 2W (Ta)
température de fonctionnement 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur 8-HSMT (3.2x3)
paquet / étui 8-PowerVDFN
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Numéro de pièce associé

XP261N7002TR-G
STE48NM50
STE48NM50
$0 $/morceau
IPLK70R750P7ATMA1
SFR9024TF
BSC883N03LSG
SI2325DS-T1-E3
SI2325DS-T1-E3
$0 $/morceau
IRFB3206PBF
NVTFS5C673NLWFTAG
NVTFS5C673NLWFTAG
$0 $/morceau
DN2535N3-G-P003
EPC2206
EPC2206
$0 $/morceau

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