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RS1E350BNTB

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RS1E350BNTB

MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP

compliant

RS1E350BNTB Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.68166 -
1593 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 35A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 1.7mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 185 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 7900 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 35W (Tc)
température de fonctionnement 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur 8-HSOP
paquet / étui 8-PowerTDFN
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Numéro de pièce associé

FDC654P
FDC654P
$0 $/morceau
APT58F50J
APT58F50J
$0 $/morceau
TN0106N3-G-P013
DMT10H032LSS-13
IRF341
IRF341
$0 $/morceau
IRLZ14SPBF
IRLZ14SPBF
$0 $/morceau
IRFS4127TRLPBF
BSZ024N04LS6ATMA1
SQJQ410EL-T1_GE3

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