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RS1G180MNTB

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MOSFET N-CH 40V 18A/80A 8HSOP

compliant

RS1G180MNTB Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.56000 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 40 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 18A (Ta), 80A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 7mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 19.5 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1293 pF @ 20 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 3W (Ta), 30W (Tc)
température de fonctionnement 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur 8-HSOP
paquet / étui 8-PowerTDFN
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Numéro de pièce associé

NVMFWS016N06CT1G
NVMFWS016N06CT1G
$0 $/morceau
IXFH20N85X
IXFH20N85X
$0 $/morceau
IRF9Z14STRLPBF
IRF9Z14STRLPBF
$0 $/morceau
DN2535N3-G
DN2535N3-G
$0 $/morceau
EFC4612R-S-TR
EFC4612R-S-TR
$0 $/morceau
BSS84-HF
BSS84-HF
$0 $/morceau
IXFH22N50P
IXFH22N50P
$0 $/morceau
SIHP052N60EF-GE3
PJE8412_R1_00001

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