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RTU002P02T106

RTU002P02T106

RTU002P02T106

MOSFET P-CH 20V 250MA UMT3

compliant

RTU002P02T106 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.13860 -
6,000 $0.13020 -
15,000 $0.12180 -
30,000 $0.11760 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET P-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 20 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 250mA (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 2.5V, 4.5V
rds activé (max) à id, vgs 1.5Ohm @ 250mA, 4.5V
vgs(th) (max) à id 2V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±12V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 50 pF @ 10 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 200mW (Ta)
température de fonctionnement 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur UMT3
paquet / étui SC-70, SOT-323
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Numéro de pièce associé

IRFP460
IRFP460
$0 $/morceau
IPI80P04P4L08AKSA1
FDC5614P_D87Z
FDC5614P_D87Z
$0 $/morceau
IRF3707ZL
IRF3707ZL
$0 $/morceau
IPB70N04S406
IRFU020
IRFU020
$0 $/morceau
AO4240
IPA50R190CE

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