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RU1C001UNTCL

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MOSFET N-CH 20V 100MA UMT3F

non conforme

RU1C001UNTCL Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.05750 -
6,000 $0.05000 -
15,000 $0.04250 -
30,000 $0.04000 -
75,000 $0.03750 -
150,000 $0.03500 -
3000 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 20 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 100mA (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 1.2V, 4.5V
rds activé (max) à id, vgs 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1V @ 100µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±12V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 7.1 pF @ 10 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 150mW (Ta)
température de fonctionnement 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur UMT3F
paquet / étui SC-85
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Numéro de pièce associé

STW8N90K5
STW8N90K5
$0 $/morceau
STW32N65M5
STW32N65M5
$0 $/morceau
STB24N60DM2
STB24N60DM2
$0 $/morceau
SI7862ADP-T1-GE3
PSMN4R5-40BS,118
FQA17N40
IPP65R050CFD7AAKSA1
IRF6646TRPBF
AOSP32368

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