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RV2C010UNT2L

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MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3

compliant

RV2C010UNT2L Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
8,000 $0.05940 -
16,000 $0.05280 -
24,000 $0.04950 -
56,000 $0.04620 -
48000 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 20 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 1A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 1.2V, 4.5V
rds activé (max) à id, vgs 470mOhm @ 500mA, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±8V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 40 pF @ 10 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 400mW (Ta)
température de fonctionnement 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur VML1006
paquet / étui SC-101, SOT-883
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Numéro de pièce associé

BSC050NE2LSATMA1
AUIRF4104
AUIRF4104
$0 $/morceau
SIR122LDP-T1-RE3
NVMFS5C404NWFAFT3G
NVMFS5C404NWFAFT3G
$0 $/morceau
FCPF20N60
FCPF20N60
$0 $/morceau
NTLUS4930NTAG
NTLUS4930NTAG
$0 $/morceau
CSD18537NQ5A
CSD18537NQ5A
$0 $/morceau
TP2510N8-G
TP2510N8-G
$0 $/morceau
PMZ600UNEYL
PMZ600UNEYL
$0 $/morceau
SIHF540S-GE3
SIHF540S-GE3
$0 $/morceau

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